BUK9Y59-60E,115

NXP USA Inc.

제품 번호:

BUK9Y59-60E,115

제조업체:

패키지:

LFPAK56, Power-SO8

배치:

데이터 시트:

설명:

N-CHANNEL 60 V, 59 MILLI OHMS LO

수량:

배달:

지불:

재고 : 문의 해주세요

RFQ를 보내 주시면 즉시 응답하겠습니다.

연락처 이름

이메일

회사 이름

국가

수량

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.1 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Power Dissipation (Max)	37W (Tc)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Package / Case	SC-100, SOT-669
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	NXP USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16.7A (Tc)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Bulk