PHN210,118
NXP USA Inc.
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제품 정보
매개 변수 정보
사용자 가이드
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Series | TrenchMOS™ |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 2W |
| Mfr | NXP USA Inc. |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | PHN210 |
2000+일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000표준 제품 단위
2800+전세계 제조 업체
15,000 ㎡재고 창고
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