PMPB12R7EPX

Nexperia USA Inc.

제품 번호:

PMPB12R7EPX

제조업체:

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DFN2020M-6

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PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1638 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5mOhm @ 8.7A, 10V
Supplier Device Package	DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Series	TrenchMOS™
Package / Case	6-UDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.7A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMPB12