SI2316DS-T1-E3

Vishay Siliconix

제품 번호:

SI2316DS-T1-E3

제조업체:

패키지:

SOT-23-3 (TO-236)

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설명:

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	215 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA (Min)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta)
Series	TrenchFET®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.9A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI2316