2SJ529L06-E

Renesas

Producto No:

2SJ529L06-E

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DPAK(L)-(2)

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2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF

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Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	580 pF @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	DPAK(L)-(2)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Power Dissipation (Max)	20W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Package	Bulk