APTM100H80FT1G
Microsemi Corporation
Producto No:
APTM100H80FT1G
Fabricante:
Paquete:
SP1
Lote:
-
Ficha de datos:
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Cantidad:
Entrega:
Pago:
En stock : Por favor investigación
Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.
Información del producto
Parámetro Info
Guía del usuario
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Configuration | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3876pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Series | - |
| Package / Case | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 208W |
| Mfr | Microsemi Corporation |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A |
| Package | Bulk |
| Base Product Number | APTM100 |
Piezas recomendadas
2000+Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000Unidad de producto estándar
2800+Fabricantes mundiales
15,000 ㎡Almacén en stock
Información
Suscribirse
Enlaces rápidos
Copyright©2004-2025 Greelly Technology (h.k.) Limited