NP89N04NUK-S18-AY

Renesas Electronics America Inc

Producto No:

NP89N04NUK-S18-AY

Fabricante:

Paquete:

TO-262

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 90A TO262

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Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	102 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package	TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta), 147W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	NP89N04