SI5908DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
Producto No:
SI5908DC-T1-GE3
Fabricante:
Paquete:
1206-8 ChipFET™
Lote:
-
Ficha de datos:
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Cantidad:
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Pago:
En stock : 28252
Mínimo: 1 Múltiplos: 1
Qty
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$88.274
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1000
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Información del producto
Parámetro Info
Guía del usuario
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Series | TrenchFET® |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 1.1W |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SI5908 |
Piezas recomendadas
2000+Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000Unidad de producto estándar
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