SIB912DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIB912DK-T1-GE3

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PowerPAK® SC-75-6L Dual

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Descripción:

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	95pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 8V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	3.1W
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIB912