SIHG186N60EF-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIHG186N60EF-GE3

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TO-247AC

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Descripción:

MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1081 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	193mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Series	EF
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.4A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	SIHG186