SIJH5100E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIJH5100E-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® 8 x 8

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	128 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.89mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Power Dissipation (Max)	3.3W (Ta), 333W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® 8 x 8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28A (Ta), 277A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)