SQD100N04-3M6L_GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SQD100N04-3M6L_GE3

Fabricante:

Paquete:

TO-252AA

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Power Dissipation (Max)	136W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQD100