SQS414CENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SQS414CENW-T1_GE3

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PowerPAK® 1212-8W

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Ficha de datos:

Descripción:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 2.4A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Power Dissipation (Max)	33W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® 1212-8W
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)