UPA2812T1L-E1-AT

Renesas Electronics America Inc

Producto No:

UPA2812T1L-E1-AT

Fabricante:

Paquete:

8-HVSON (3.3x3.3)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	8-HVSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta), 52W (Tc)
Series	-
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)