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J112,126
NXP USA Inc.
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제품 정보
매개 변수 정보
사용자 가이드
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1 V @ 1 µA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 mA @ 15 V |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Series | - |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Power - Max | 400 mW |
| Mfr | NXP USA Inc. |
| Package | Tape & Box (TB) |
| Base Product Number | J112 |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
2000+일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000표준 제품 단위
2800+전세계 제조 업체
15,000 ㎡재고 창고
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