PJD4NA65H_L2_00001

Panjit International Inc.

제품 번호:

PJD4NA65H_L2_00001

제조업체:

패키지:

TO-252

배치:

데이터 시트:

설명:

650V N-CHANNEL MOSFET

수량:

배달:

지불:

재고 : 문의 해주세요

RFQ를 보내 주시면 즉시 응답하겠습니다.

연락처 이름

이메일

회사 이름

국가

수량

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.1 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Power Dissipation (Max)	34W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Panjit International Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PJD4NA65