PSMN102-200Y,115

Nexperia USA Inc.

제품 번호:

PSMN102-200Y,115

제조업체:

패키지:

LFPAK56, Power-SO8

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설명:

MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1568 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30.7 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package	LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Power Dissipation (Max)	113W (Tc)
Series	TrenchMOS™
Package / Case	SC-100, SOT-669
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21.5A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PSMN102