RQ3E080GNTB

Rohm Semiconductor

제품 번호:

RQ3E080GNTB

제조업체:

패키지:

8-HSMT (3.2x3)

배치:

데이터 시트:

설명:

MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

수량:

배달:

지불:

재고 : 문의 해주세요

RFQ를 보내 주시면 즉시 응답하겠습니다.

연락처 이름

이메일

회사 이름

국가

수량

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.7mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 15W (Tc)
Series	-
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RQ3E080