RQ3E180GNTB

Rohm Semiconductor

제품 번호:

RQ3E180GNTB

제조업체:

패키지:

8-HSMT (3.2x3)

배치:

데이터 시트:

설명:

MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT

수량:

배달:

지불:

재고 : 1819

최소: 1 곱셈: 1

Qty

단위 가격

Ext 가격

원하는 가격이 아닙니까? 지금 RFQ를 보내면 최대한 빨리 연락 드리겠습니다.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.4 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Series	-
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RQ3E180