SI2305CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

제품 번호:

SI2305CDS-T1-GE3

제조업체:

패키지:

SOT-23-3 (TO-236)

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데이터 시트:

설명:

MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	960 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	8 V
Power Dissipation (Max)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI2305