SI2319DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

제품 번호:

SI2319DS-T1-GE3

제조업체:

패키지:

SOT-23-3 (TO-236)

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설명:

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Power Dissipation (Max)	750mW (Ta)
Series	TrenchFET®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI2319