SI4890DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제품 번호:

SI4890DY-T1-E3

제조업체:

패키지:

8-SOIC

배치:

데이터 시트:

설명:

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

수량:

배달:

지불:

재고 : 2500

최소: 1 곱셈: 1

Qty

단위 가격

Ext 가격

원하는 가격이 아닙니까? 지금 RFQ를 보내면 최대한 빨리 연락 드리겠습니다.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA (Min)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4890