SI8819EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

제품 번호:

SI8819EDB-T2-E1

제조업체:

패키지:

4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

배치:

데이터 시트:

설명:

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT

수량:

배달:

지불:

재고 : 문의 해주세요

RFQ를 보내 주시면 즉시 응답하겠습니다.

연락처 이름

이메일

회사 이름

국가

수량

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Supplier Device Package	4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Power Dissipation (Max)	900mW (Ta)
Series	-
Package / Case	4-XFBGA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.9A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 3.7V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI8819