SI9410BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
제품 번호:
SI9410BDY-T1-GE3
제조업체:
패키지:
8-SOIC
배치:
-
데이터 시트:
설명:
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
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제품 정보
매개 변수 정보
사용자 가이드
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Series | TrenchFET® |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SI9410 |
2000+일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000표준 제품 단위
2800+전세계 제조 업체
15,000 ㎡재고 창고
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