SIA4263DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제품 번호:

SIA4263DJ-T1-GE3

제조업체:

패키지:

PowerPAK® SC-70-6

배치:

데이터 시트:

설명:

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE

수량:

배달:

지불:

재고 : 6010

최소: 1 곱셈: 1

Qty

단위 가격

Ext 가격

원하는 가격이 아닙니까? 지금 RFQ를 보내면 최대한 빨리 연락 드리겠습니다.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1825 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52.2 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Power Dissipation (Max)	3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Series	TrenchFET® Gen III
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.5A (Ta), 12A (Tc)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)