SIA427DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제품 번호:

SIA427DJ-T1-GE3

제조업체:

패키지:

PowerPAK® SC-70-6

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설명:

MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	8 V
Power Dissipation (Max)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Vgs (Max)	±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIA427