SIA850DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제품 번호:

SIA850DJ-T1-GE3

제조업체:

패키지:

PowerPAK® SC-70-6 Dual

배치:

데이터 시트:

설명:

MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK

수량:

배달:

지불:

재고 : 문의 해주세요

RFQ를 보내 주시면 즉시 응답하겠습니다.

연락처 이름

이메일

회사 이름

국가

수량

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Schottky Diode (Isolated)
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	90 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	190 V
Power Dissipation (Max)	1.9W (Ta), 7W (Tc)
Series	LITTLE FOOT®
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	950mA (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIA850