SIR112DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

제품 번호:

SIR112DP-T1-RE3

제조업체:

패키지:

PowerPAK® SO-8

배치:

데이터 시트:

설명:

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4270 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	89 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.96mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Power Dissipation (Max)	5W (Ta), 62.5W (Tc)
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37.6A (Ta), 133A (Tc)
Vgs (Max)	+20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIR112