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SISF02DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제품 번호:

SISF02DN-T1-GE3

제조업체:

Vishay Siliconix

패키지:

PowerPAK® 1212-8SCD

배치:

-

데이터 시트:

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설명:

MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8

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제품 정보

매개 변수 정보

사용자 가이드

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2650pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Series TrenchFET® Gen IV
Package / Case PowerPAK® 1212-8SCD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SISF02