2SK3868(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

제품 번호:

2SK3868(Q,M)

제조업체:

패키지:

TO-220SIS

배치:

데이터 시트:

설명:

MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

수량:

배달:

지불:

재고 : 문의 해주세요

RFQ를 보내 주시면 즉시 응답하겠습니다.

연락처 이름

이메일

회사 이름

국가

수량

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk
Base Product Number	2SK3868