IPB05CN10N G

Infineon Technologies

제품 번호:

IPB05CN10N G

제조업체:

패키지:

PG-TO263-3

배치:

데이터 시트:

설명:

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

수량:

배달:

지불:

재고 : 문의 해주세요

RFQ를 보내 주시면 즉시 응답하겠습니다.

연락처 이름

이메일

회사 이름

국가

수량

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	181 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Series	OptiMOS™
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPB05C