IPI020N06NAKSA1

Infineon Technologies

제품 번호:

IPI020N06NAKSA1

제조업체:

패키지:

PG-TO262-3-1

배치:

데이터 시트:

설명:

MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262

수량:

배달:

지불:

재고 : 문의 해주세요

RFQ를 보내 주시면 즉시 응답하겠습니다.

연락처 이름

이메일

회사 이름

국가

수량

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	106 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 143µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 214W (Tc)
Series	OptiMOS™
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	29A (Ta), 120A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Bulk
Base Product Number	IPI02N