IPI26CNE8N G

Infineon Technologies

제품 번호:

IPI26CNE8N G

제조업체:

패키지:

PG-TO262-3

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데이터 시트:

설명:

MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2070 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 39µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	85 V
Power Dissipation (Max)	71W (Tc)
Series	OptiMOS™
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IPI26C